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西安工業(yè)大學(xué)2025年01月政府采購意向
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6180000.00
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為便****政府采購信息，根據(jù)《****政府采購意向公開工作的通知》（財庫〔2020〕10號）等有關(guān)規(guī)定，現(xiàn)將本單位2024年12月至2025年01月采購意向公開如下：
| 1 | 探針臺采購項目 | 采購內(nèi)容:探針臺；主要功能或目標:立體顯微鏡：15x–100x放大倍率，實現(xiàn) fF 級別測量；具有大視野和可用于照相機的C型卡口；四個三軸探頭臂和高質(zhì)量的三軸電纜；光/EMI 屏蔽；用于 fF 級別測量的升級選項；RIAX卡盤具有±8的theta卡盤精細旋轉(zhuǎn)，三個輔助區(qū)域，卡盤表面具有±5μm的平面度，以實現(xiàn)一致的接觸力和超行程；利用單一設(shè)置可完成東/西至北/南測量。；需滿足的要求:光子芯片精確定位和瞄準；實現(xiàn)光子芯片的多端光電性能測試和分析，配合平臺已有設(shè)備，構(gòu)建無源和無源光電器件設(shè)計和流片、異質(zhì)結(jié)光芯片制備、光子芯片集成測試耦合和封裝、片上集成光譜成像芯片流片和測試，鈮酸鋰、碳酸鋰晶體材料等工藝線。。 | 70.00 | 2025年01月 | 無 |
| 2 | 光子器件封裝耦合儀采購項目 | 采購內(nèi)容:光子器件封裝耦合儀；主要功能或目標:線性滑臺行程200mm，手動導(dǎo)軌整體移動正視和側(cè)視相機，三維燕尾滑臺，調(diào)節(jié)鏡頭位置及焦距，行程+/-15mm，0.7X~4.5變焦，放大倍率200X+，LED環(huán)形燈，工作距離80～100mm。耦合精度≤1微米；耦合光纖種類：單模、多模。；需滿足的要求:光子芯片和光纖的耦合封裝；實現(xiàn)雙側(cè)水平FA（光路垂直）和芯片垂直耦合，手動點膠組件實現(xiàn)耦合后FA預(yù)固定，雙邊6軸高精度手動滑臺，正視和側(cè)視顯微觀察系統(tǒng)，F(xiàn)A夾持夾具，手動點膠等功能。實現(xiàn)全自動的耦合、在線能量監(jiān)控、對準、點膠等功能。。 | 86.00 | 2025年01月 | 無 |
| 3 | 通用光電元器件分析儀采購項目 | 采購內(nèi)容:通用光電元器件分析儀；主要功能或目標:10 MHz ~ 67 GHz；1310±5 nm； 1530 ~ 1565 nm （C 波段可調(diào)）； 1570 ~ 1610 nm （L 波段可調(diào)）；線寬 < 100 kHz （@ C+L 波段）〈 3 MHz (@ 1310 nm)。；需滿足的要求:基于“微波光子技術(shù)”，配合羅德與施瓦茨的矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀協(xié)同工作，實現(xiàn)電-光、光-電和光-光 3類光子器件的頻譜響應(yīng)和時間響應(yīng)參數(shù)的測量。適應(yīng)電-光元器件（電光調(diào)制芯片、器件、模塊，微波光發(fā)射模塊等）；光-電元器件（光電探測芯片、器件、模塊，微波光接收模塊等）；光-光元器件（光濾波器、光復(fù)用器芯片、光學(xué)器件、光學(xué)模塊等）；微波元器件、微波模塊等主要參數(shù)的綜合測試和評價。系統(tǒng)具備高達67GHz的測試頻率，100KHz線寬的光源輸出，30Km光纖/波導(dǎo)的測試能力等。。 | 225.00 | 2025年01月 | 無 |
| 4 | 陣列成像測試系統(tǒng)采購項目 | 采購內(nèi)容:陣列成像測試系統(tǒng)；主要功能或目標:匹配讀取1280*1026、640*512分辨率ROIC；實現(xiàn)ROIC和讀取電路的快捷鏈接；具備兼容1280*1026、640*512等分辨率ROIC芯片的能力（包含單電極和兩電極結(jié)構(gòu)，單元電流在1nA）。分辨率640*480，像素讀出電流≥1nA，響度間距≤50微米，幀頻120HZ。；需滿足的要求:****中心成像單元的成像驅(qū)動和特性評價，具備上位機實時成像、數(shù)據(jù)存儲、簡單圖像處理能力；能夠?qū)崿F(xiàn)量子點、納米線等材料以及不同機理探測器件（光電導(dǎo)、光伏）成像測試需求。。 | 87.00 | 2025年01月 | 無 |
| 5 | ****ALD設(shè)備 | 采購內(nèi)容:ALD設(shè)備；主要功能或目標:設(shè)備主機規(guī)格：用于8英寸及小尺寸樣品。 反應(yīng)腔系統(tǒng)：雙腔結(jié)構(gòu)；樣品臺單獨加熱；進樣方式：樣品臺電動升降，樣品手動轉(zhuǎn)載。 前驅(qū)體源輸送系統(tǒng)：反應(yīng)源與金屬前驅(qū)體源單獨進入反應(yīng)腔體。配備6路前驅(qū)體源輸送管路；常溫源：配備三孔ALD閥門、源手動閥；加熱源：配備三孔ALD閥門、源手動閥；載氣輔助源：配備三孔ALD閥門、載氣脈沖ALD閥門、源手動閥、MFC；載氣管路采用N2或者Ar氣體，通過質(zhì)量流量控制器控制；配備惰性氣體自清洗系統(tǒng)。 真空系統(tǒng)：采用雙級油封式真空泵。 控制系統(tǒng)：PLC+工業(yè)觸摸屏方式；支持靈活擴展通信方式；可實現(xiàn)配方編輯、保存、讀取等功能；所有ALD閥門具備自動排空功能，所有管線具備自動清洗功能；可進行溫度PID參數(shù)自整定、前驅(qū)體標簽修改等；可實時顯示加熱狀態(tài)、閥門開關(guān)狀態(tài)、壓力曲線、等離子體功率曲線、鍍膜進度；可實時監(jiān)測動力氣體壓力值、加熱狀態(tài)、閥門開關(guān)狀態(tài)等。 等離子體源及控制：遠程ICP等離子體系統(tǒng)，等離子體發(fā)生腔獨立于反應(yīng)腔室，與反應(yīng)腔以標準CF100接口連接；獨立的等離子體工藝氣體系統(tǒng)，等離子體工藝氣體2路，每路均包含MFC控制，可選O2、N2、Ar、NH3或H2；采用13.56 MHz射頻電源。 ；需滿足的要求:項目建設(shè)后，****實驗室****學(xué)校辦學(xué)與科研設(shè)施設(shè)備水平，其**子層沉積系統(tǒng)（ALD）具備原子級薄膜制備能力，針對多孔、高深寬比的襯底結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)表面沉積高均勻性、保型性、低缺陷的Al2O3、TiO2、AlN等高質(zhì)量薄膜制備。ALD設(shè)備符合國家、行業(yè)、地方規(guī)定的質(zhì)量和安全標準。。 | 150.00 | 2025年01月 | 無 |
本次公開的****政府采購工作的初步安排，具體采購項目情況以相關(guān)采購公告和采購文件為準。
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2024年12月20日
招標進度跟蹤
2024-12-20
招標預(yù)告
西安工業(yè)大學(xué)2025年01月政府采購意向
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